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半導(dǎo)體器件和電路制造技術(shù)飛速發(fā)展，器件特征尺寸不斷下降，而集成度不斷上升。這兩方面的變化都給失效缺陷定位和失效機(jī)理的分析帶來(lái)巨大的挑戰(zhàn)。對(duì)于半導(dǎo)體失效分析(FA)而言，微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)是一種相當(dāng)有用且效率極高的分析工具。微光顯微鏡其高靈敏度的偵測(cè)能力，可偵測(cè)到半導(dǎo)體組件中電子－電洞對(duì)再結(jié)合時(shí)所發(fā)射出來(lái)的光線，能偵測(cè)到的波長(zhǎng)約在350nm ~ 1100nm 左右。 它可以廣泛的應(yīng)用于偵測(cè)IC 中各種組件缺陷所產(chǎn)生的漏電流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage等。EMMI的工作原理圖如下: 由于加速載流子發(fā)光，即在局部的強(qiáng)場(chǎng)作用下產(chǎn)生的高速載流子與晶格原子發(fā)生碰撞離化，發(fā)射出光子，通常其光譜在可見(jiàn)光范圍內(nèi)有一個(gè)寬的分布（ 650-1050 nm ），采用深度制冷的CCD相機(jī)可以拍攝到此現(xiàn)象。