APPLICATION
InGaN/GaN量子阱光致發光和電致發光特性的測試!
光譜測量設備采用的是卓立漢光公司自行組建的OmniPL組合式光致發光和電致發光測量系統。
測試原理
當用大于半導體材料禁帶能量的激發光源照射到該半導體材料表面時，就使半導體中電子從價帶躍遷至導帶，在其表面會產生過剩的非平衡載流子即電子-空穴對。它們通過不同的復合機構進行復合，產生光發射。溢出表面的發射光經會聚進入單色儀分光，然后經探測器接受并放大，得到發光強度按光子能量分布的曲線,即光致發光譜。
實驗設備
OmniPL組合式光致發光和電致發光測量系統，包含30mWHeCd激光器325nm，Omni-λ500i影像校正光譜儀和PMT，探針樣品臺等部件，基于客戶的要求，本次系統采?用的空間光路搭建方案。
實驗結果
1. 光致發光(PL)光譜測量分別針對材料的正極(紅色)和負極(綠色)測試得到光致發光光譜曲線如下，GaN的本征發光峰365nm附近以及黃帶，InGaN的發光峰475nm附近。
2. 電致發光(EL)光譜測量
將材料的接到直流電源的正負極，電壓加到2.5V時可以有明顯的藍光發射，測量其電致發光光譜曲線如下（紅色），峰值在475nm附近。（綠色曲線為另一個樣品ZnO的PL譜）!
結論：
OmniPL組合式光譜測量系統可以非常方便快捷的進行PL/EL的測試，是一款性價比非常高的系統；根據實際測試的需求，用戶不僅可以選擇空間光路，還可以選擇顯微光路，選裝低溫測量系統，選裝PLmapping測試附件等，擴展測量功能，在InGaN/GaN材料研究測試中發揮重要的作用。
13810146393
在線咨詢
