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RTS-SEMR

RTS- SEMR拉曼-電鏡聯用光譜測試系統

RTS- SEMR拉曼電鏡光譜系統集成場發射掃描電鏡與拉曼光譜系統于一體，是一款真正意義上實現國產拉曼光譜與掃描電鏡聯用的設備。拉曼電鏡通過快速、精確、高性能的拉曼分析，彌補了能譜儀、波譜儀等傳統電鏡附件無法實現的分子結構與成分觀察。尤其是針對有機結構、碳結構、同分異構體、晶體與無機相等多領域材料的信息表征，擴展了傳統掃描電子顯微鏡的分析應用領域，例如礦物鑒別、高分子與制藥行業、鋰電行業、醫工交叉行業等，應用前景廣闊。
 
 
 
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產品概述
拉曼電鏡光譜聯用技術
產品簡介
 
掃描電子顯微鏡（SEM）是一種介于透射電子顯微鏡和光學顯微鏡之間的一種觀察手段。其利用聚焦的很窄的高能電子束來掃描樣品，實現對物質微觀形貌表征的目的。具有景深大、分辨率高，成像直觀、立體感強、放大倍數范圍寬以及待測樣品可在三維空間內進行旋轉和傾斜等特點。拉曼技術在分子級別上提供樣品的化學結構、組分信息；而 SEM 可在納米尺度上提供高空間分辨率的形貌圖像；SEM與拉曼光譜技術相結合，使用 SEM 觀察樣品形貌，并可獲取指定樣品點的拉曼光譜信息，同步獲取樣品材料表面形貌、分子結構與化學組分等信息。
 
典型應用
 
RTS- SEMR拉曼電鏡光譜系統
 
北京卓立漢光儀器有限公司全新推出的RTS- SEMR拉曼電鏡光譜系統集成場發射掃描電鏡與拉曼光譜系統于一體，是一款真正意義上實現國產拉曼光譜與掃描電鏡聯用的設備。拉曼電鏡通過快速、精確、高性能的拉曼分析，彌補了能譜儀、波譜儀等傳統電鏡附件無法實現的分子結構與成分觀察。尤其是針對有機結構、碳結構、同分異構體、晶體與無機相等多領域材料的信息表征，擴展了傳統掃描電子顯微鏡的分析應用領域，例如礦物鑒別、高分子與制藥行業、鋰電行業、醫工交叉行業等，應用前景廣闊。
北京卓立漢光儀器有限公司推出的掃描電鏡-拉曼光譜聯用裝置采用“離軸”模式設計理念。“離軸”模式掃描電鏡的電子束與拉曼光譜的激光束不同軸,通過移動樣品臺分別進行掃描電鏡-能譜分析和顯微拉曼光譜分析，原位獲取樣品指定位置的形貌信息和化學成分信息。
 
RTS-SEMR 拉曼電鏡聯用光譜系統架構
RTS- SEMR拉曼電鏡光譜系統，電鏡擁有大視野及納米級分辨率，是一個樣品微觀形貌分析平臺，系統耦合拉曼共聚焦光路進入真空樣品倉，實現了樣品在電子束和激光束之間的快速切換，在滿足樣品表征觀察的同時，也能夠實現納米級分辨率的化學成分和空間結構分析，充分發揮掃描電鏡與拉曼兩者的應用優勢。
 

 
拉曼集成掃描電子顯微鏡采用平行雙束方案，搭載高精度復合位移臺可實現樣品在拉曼光軸和電子束光軸之間快速、精確、穩定的切換，拉曼掃描范圍高達2.5 mm。
獨特的系統及產品設計保證了操作性、易用性、普適性，用戶可在電鏡中尋找感興趣的材料特征，得到高分辨的掃描結果后，一鍵切換至拉曼光路下進行該區域的快速/高精度的光譜掃描，隨后得到高匹配程度的拉曼渲染聯用效果。
拉曼渲染結果的像素與光譜數據對應關系可通過軟件程序直接提取，提供進行便捷的結果解析。
 
拉曼光譜集成方案提供了多種配置供用戶選擇，例如激光波長、光譜儀焦長、光柵密度、物鏡等光學核心配置，充分滿足應用及市場的需求。
 
掃描式電子顯微鏡系統配置多種類型探測器，可實現二次電子和背散射電子同時成像，兼容多種應用模式，可覆蓋生命科學、材料科學、地質科學等多學科科研應用場景。
標配五軸高精度運動平臺及自主設計樣品載臺，可實現多個釘臺同時放樣或單一大尺寸樣品觀測。
 
性能優勢
 
· 高靈敏度,高空間分辨率
· 寬行程納米壓電臺,單幀大視野
· SEM+Raman深度耦合,統一操作界面
· 國產自主,核心技術正向研發
· 平行聯用方案高精度樣品臺
· 一鍵切換光路高效聯用成像
· 軟件提取數據圖像直接解析
· 定制化配置滿足市場多樣化需求
典型參數

 

激光波長

532nm（＞100mW）

拉曼頻移范圍

60-6000cm-1@532nm

光譜分辨率

<1cm-1

信噪比

>20:1

空間分辨率

橫向分辨率:<500nm@532nm 激光

縱向分辨率:<2um@50um 針孔，532nm 激光；

＜1um@10um 針孔，532nm 激光

光譜儀

500 mm 焦長，Czerny-Turner 式全自動切換

光譜CCD探測器

2000*256 像素，背照式深耗盡芯片，QE>90%，可見近紅外專用

光學物鏡

NA=0.9, WD=10mm, 10X

白光源

鹵素燈

樣品臺

類型：步進電機+壓電陶瓷

掃描范圍：2.5mm*2.5mm

 

整機電鏡

FE-SEM F4000

FE-SEM F6000

電子槍

肖特基熱場發射式電子槍

肖特基熱場發射式電子槍

分辨率

0.9nm@30kV

1.4nm@15kV

1.0 nm@30 kV

1.2nm@15kV

1.5 nm@l kV(減速模式)

加速電壓

0.02-30kv

0.02-30kv

束流

1pA~40nA

5 pA~30 nA (200 nA可選)

放大倍數

1x~1,000,000x(底片放大倍數,1~15x光學放大)

1x~1,000,000x(底片放大倍數,1~15x光學放大)

工作環境要求

溫度20±3/℃；濕度≤80%

工作電壓AC220V、50/60Hz

最大功耗4500W