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Flame image-C-LIF火焰自由基成像系統(tǒng)

作為一套現(xiàn)代化、模塊化的數(shù)據(jù)采集分析和成像系統(tǒng),平面激光誘導(dǎo)熒光(PLIF) 是對燃燒實(shí)驗(yàn) 進(jìn)行診斷的獨(dú)特工具。通過對燃燒自由基、污染物、燃料示蹤劑等的測量,該系統(tǒng)可以對諸如燃 料注入、點(diǎn)火現(xiàn)象和火焰鋒面等現(xiàn)象進(jìn)行研究,從而加深對燃燒過程的理解
 
 
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產(chǎn)品概述
作為一套現(xiàn)代化、模塊化的數(shù)據(jù)采集分析和成像系統(tǒng),平面激光誘導(dǎo)熒光(PLIF) 是對燃燒實(shí)驗(yàn)進(jìn)行診斷的獨(dú)特工具。通過對燃燒自由基、污染物、燃料示蹤劑等的測量,該系統(tǒng)可以對諸如燃料注入、點(diǎn)火現(xiàn)象和火焰鋒面等現(xiàn)象進(jìn)行研究,從而加深對燃燒過程的理解。
PLIF 中的LIF- 激光誘導(dǎo)熒光(LIF) 技術(shù)
LIF 技術(shù)的工作原理為:調(diào)諧激光波長,使激光的光子輸出頻率和燃燒場內(nèi)待探測離子的某一對上下能級間的躍遷頻率相同,形成共振吸收,將下能態(tài)粒子泵浦到上能態(tài),當(dāng)相應(yīng)的上能態(tài)粒子向下躍遷時(shí),會(huì)產(chǎn)生熒光信號,然后通過分析熒光信號的強(qiáng)度或光譜形態(tài),獲得燃燒場內(nèi)探測分子濃度、分布及溫度等燃燒參量信息。
激光誘導(dǎo)熒光LIF 技術(shù)對燃燒診斷的優(yōu)點(diǎn)
  • 調(diào)諧激光實(shí)現(xiàn)待測分析或離子的共振吸收,選擇性激發(fā)熒光,選擇性探測熒光,極大的提升探測靈敏度與信噪比。
  • 可通過后數(shù)據(jù)分析獲得被探測分子濃度,分布場和溫度等豐富的燃燒參量信息。
該系統(tǒng)具有如下特點(diǎn)
1、激光輔助光學(xué)診斷,是光學(xué)非侵入式燃燒組分分析與成像的手段, 配套標(biāo)準(zhǔn)化光學(xué)測試系統(tǒng),可用于航空航天、先進(jìn)能源等燃燒過程檢測
2、集成一體式可調(diào)諧染料激光系統(tǒng),穩(wěn)定,易操作,易維護(hù)
3、寬動(dòng)態(tài)范圍的高靈敏度的影像強(qiáng)化ICCD 實(shí)現(xiàn)納秒級別的影像或光譜采集
4、PLIF 系統(tǒng)具有亞納秒級的同步時(shí)間精度
5、具有系統(tǒng)搭建、數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析、結(jié)果可視化的完整軟件平臺(tái)
6、系統(tǒng)具備燃燒自由基LIF 和燃料示蹤劑LIF 的專用分析軟件
7、可實(shí)現(xiàn)單組份及多組份測試需求
8、可根據(jù)用戶實(shí)際需求, 提供個(gè)性化光學(xué)實(shí)驗(yàn)方案
9、可擴(kuò)展離子圖像測速技術(shù)(PIV)
平面激光誘導(dǎo)熒光(PLIF)
PLIF: (Planar Laser Induced Fluorescence) 即所謂的“平面激光誘導(dǎo)熒光”,平面激光誘導(dǎo)熒光實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)為二維測量系統(tǒng)。
如下圖所示:
實(shí)驗(yàn)中通過柱面透鏡,將激光光束厚度進(jìn)行整形,形成激光片(laser sheet), 激光片穿過火焰與火焰相交,形成一個(gè)二維截面,通過光學(xué)成像的辦法,測量火焰中探測粒子的二維熒光圖像,從而求出探測粒子在火焰中的濃度分布及溫度場的分布等信息。
小結(jié):平面激光誘導(dǎo)熒光PLIF 是在LIF 基礎(chǔ)上,將激光整形成片狀光,切入到燃燒場內(nèi),從而激發(fā)并探測二維的燃燒場信息。
 
本公司代理ICCD 拍攝的PLIF 圖像OH LIF, CO LIF, reaction rate (RR), temperature (T),and mixturefraction (f)
平面激光誘導(dǎo)熒光(PLIF)系統(tǒng)架構(gòu)
• 染料激光系統(tǒng):可以根據(jù)測試對象的不同,調(diào)諧輸出不同的輸出波長與能量;
• 激光整形與傳輸光路:用于把激光變成可以用于PLIF 系統(tǒng)的片狀光;
• 探測系統(tǒng):根據(jù)要求采用合適的ICCD,進(jìn)行適當(dāng)?shù)难舆t后得到特定時(shí)刻的熒光信息;同時(shí)還可以加上光譜儀等設(shè)備,進(jìn)行光譜分析,以便得到更豐富的信息;
• 時(shí)序控制裝置:對整個(gè)實(shí)驗(yàn)的時(shí)序進(jìn)行控制;
• 附屬設(shè)備:附屬設(shè)備主要包括用于搭建光路所必須采用的光學(xué)平臺(tái),光具座,調(diào)整架以及反射鏡,激光功率能量計(jì)等光學(xué)配件;
• 數(shù)據(jù)采集與分析軟件:可以對溫度以及濃度場進(jìn)行分析研究。

PLIF圖像處理框圖
配套推薦設(shè)備分項(xiàng)參數(shù)
可調(diào)諧染料激光器及片光源整形傳輸光路
• 激發(fā)波長:220-780nm 連續(xù)可調(diào),可以根據(jù)要求延展到200-4500nm
• 線寬: 0.06cm-1
• 單脈沖能量:110mJ@560nm
• 柱面鏡焦距:50mm
• 球形聚焦透鏡:焦距500mm
• 片光厚度:0.1-0.3mm
• 重復(fù)頻率:10Hz
常用激發(fā)波長對應(yīng)測試自由基及本設(shè)備對應(yīng)激光能量
時(shí)間延遲同步裝置
• 時(shí)間延時(shí)范圍:0-2000s
• 時(shí)間延遲精度5ps
• 延遲同步通道:4 通道,可根據(jù)要求延展到8 通道
像增強(qiáng)相機(jī)
本公司提供多種納秒超快探測器ISCMOS

國內(nèi)首推科學(xué)級制冷型超快IsCMOS 相機(jī),采用高效超快像增強(qiáng)器,采用**光纖面板耦合工藝技術(shù),配合>95% 量子效率 科研制冷型sCMOS 相機(jī), 實(shí)現(xiàn)低噪聲、高速、超快門控拍照。

IsCMOS像增強(qiáng)型相機(jī)

● 科學(xué)級制冷型IsCMOS

● 18/25mm 大口徑二代高效像增強(qiáng)器

● 光譜響應(yīng)范圍:S20 光陰極,200-850nm

● 光學(xué)快門: <3ns

● 延遲與門控精度:10ps

● 增強(qiáng)器陰極門控*高同步頻率 300KHZ;

● 內(nèi)置時(shí)序控制器DDG

● 耦合方式:1:1 光纖面板耦合

● sCMOS 芯片: 高分辨2048*2048陣列

● 位深: 16bit

● 制冷溫度: 室溫減35度

● *快幀速: 35fps.

● 專業(yè)化數(shù)據(jù)采集控制軟件

獨(dú)特亮點(diǎn)

制冷型IsCMOS

-10度芯片制冷溫度,有效減低芯片暗噪聲,安靜讀出

超快光學(xué)門寬

<3ns 陰極光學(xué)門寬,實(shí)現(xiàn)**測量

內(nèi)置DDG

內(nèi)置精度<10ps  門控與延遲控制發(fā)射器,方便隨心控制

高效光纖錐耦合

1:1 高效光纖錐耦合增強(qiáng)器與相機(jī),高通光量

高分辨率讀出

400萬像素高分辨率圖像讀出,不忽略細(xì)節(jié)

16bit, 95% QE

高動(dòng)態(tài)范圍,高量子效率,不留缺憾

IOC 模式

>300kHZ陰極快門同步頻率,IOC  芯片累積模式下提升信噪比

專業(yè)化軟件

采集控制,數(shù)據(jù)處理專業(yè)化界面,簡單 快捷

常見型號列表:

 

SIC-25U-UV-4M-F

25mm 增強(qiáng)器,UV-VIS 200-900nm, 2048*2048, 光纖面板耦合

IsCMOS

SIC-18U-UV-4M-F

18mm 增強(qiáng)器,UV-VIS 200-900nm, 2048*2048, 光纖面板耦合

SIC-18U-VIS-4M-F

18mm 增強(qiáng)器,VIS 380-850nm, 2048*2048, 光纖面板耦合

 

SIC-18F-VN-4M-F

18mm 增強(qiáng)器,VIS -NIR 400-1100nm, 2048*2048,光纖面板耦合

 

ICCD

SIC-18U-UV-6M-L

18mm 增強(qiáng)器,UV-VIS 200-850nm, 2750*2200, 高分辨率鏡頭耦合

SIC-18F-VN-6M-L

18mm 增強(qiáng)器,VIS-NIR 400-1100nm, 2750*2200, 高分辨率鏡頭耦合

 
技術(shù)參數(shù)
 

sCMOS相機(jī)

像素陣列

2048*2048

陣面尺寸

13.3*13.3mm

像素大小

6.5um*6.5um

傳感器類型

背照式sCMOS

量子效率

>95% @600nm

讀出噪聲

CMS: 1.1e-(Median) / 1.2e-(RMS)

暗電流

0.15e- / pixel / s@-15℃

曝光時(shí)間

1ms-10s

位深

16bit

數(shù)字接口

UBS3.0

像增強(qiáng)器MCP

光陰極

S20B

S25R

光譜范圍

200-850nm

380-1100nm

峰值量子效率

20% @440nm

22%@720nm

等效噪聲(EBI)

< 2 x 10-7 lux @ 20 °C ± 2 °C

< 5 x 10-7  Lux

光子增益

1*104 photon/photon

1.4*104

有效口徑尺寸

18mm & 25mm

18mm

熒光屏

P20 /P43

P43

輸出窗口

1:1光纖面板

光學(xué)門控寬度

Fast: <3ns;  Slow option > =50ns

Fast < 5ns

內(nèi)部DDG 控制

延遲和門寬調(diào)節(jié)范圍

0-10s

延遲和門寬調(diào)節(jié)精度

10ps

同步接口

外觸發(fā)輸入,觸發(fā)輸出,直接觸發(fā)(Direct gate)

觸發(fā)信號

觸發(fā)閾值 1-5V, 阻抗50歐姆,抖動(dòng)<100ps

觸發(fā)固有延遲

<120ns@ 外觸發(fā),<40ns  @ Direct gate 直接觸發(fā)

 

 
sCMOS 量子效率曲線
增強(qiáng)器光陰極量子效率曲線