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日盲光電探測器對波長在220-280 nm范圍內的光敏感，在軍事和商業領域都有著廣泛的應用，例如光學追蹤、光通信和成像。得益于優越的材料和電學特性，包括良好的熱學和化學穩定性、優異的抗輻照性能以及直接對應日盲區域的光探測波長，寬禁帶半導體材料具備更顯著的優勢。在過去的幾年里，由于Ga2O3相關材料的優異的抗輻照特性、良好的熱穩定性以及4.7-5.3 eV直接對應于日盲波段的超寬禁帶寬度，已經引起了廣泛的關注。目前，幾乎所有關于Ga2O3 PDs的研究都是基于a-或β-Ga2O3材料，然而，探測器的光電性能不盡如人意，并且增益機制尚未分析確定。因此，ε-Ga2O3的材料和光電特性有待進一步研究。

Ga2O3有著4.7-5.2eV的寬禁帶，本質上適合日盲光電探測器。Ga2O3有五種同構異形體，單斜β-Ga2O3薄膜因其高溫度穩定性已經有了大量的研究。其他相，特別是α-、γ-、δ-和ε-Ga2O3很少被研究。最近由于ε-Ga2O3其有高度對稱的六面體結構，有可能將氮化物和ε-Ga2O3結合起來，形成致力于光電應用的III-氧化物/III-氮化物異質結器件結構，因此而廣受科研工作者關注。

近中紅外光廣泛應用于光纖通信、醫療、遙感探測、說環境監控等應用領域，高效、穩定、緊湊的近中紅外光光源是這些應用得以實施的基礎。

Cu(In,Ga)Se2（CIGS）是I-III-VI組化合物半導體材料，具備黃銅礦晶體結構，以它為吸收層的太陽能電池為CIGS薄膜太陽能電池，具備光電轉換效率高、電池穩定性好、抗輻照能力強、弱光性好等優勢。液相法制備CIGS電池實現了17.3%轉換效率，雖然與真空法的23.35%相比仍有一定的差距，但由于液相法制備薄膜具有成本低、原料利用率高、可以實現卷對卷制備等優點，仍具有巨大的潛在發展優勢。

硫屬薄膜太陽能電池因其低成本、帶隙可調和高輸出性能而進入了一個蓬勃發展的時期，元素含量豐富的鋅黃錫礦Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)是將CIGS中稀有貴金屬In和Ga用元素Zn和Sn替換，不僅與CIGS有著相似的結構和光電學性能，也具備獨特優點，如儲量豐富、價格低廉、無毒害等。