寬場熒光顯微成像模組

以自動化顯微鏡模組為基礎，針對 SiC 等化合物半導體晶圓位錯、層錯等缺陷檢測需求

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產品概述

寬場熒光顯微成像模組

Wide-field Fluorescence Microscope Module

• 以自動化顯微鏡模組為基礎，針對SiC等化合物半導體晶圓位錯、層錯等缺陷檢測需求。

• 無須化學腐蝕、解理等樣品前處理工藝，非接觸、無損、整晶圓檢測。

產品特性和核心技術：

激光自動聚焦。

• 自主研制的激光輔助離焦量傳感器。

• 可在紫外激發光照射樣品并采集熒光信號的同時工作，實現自動聚焦和表面跟蹤。

紫外暗場照明。

• 標配波長275 nm紫外激發光，可按用戶要求定制其它波長激發光。

• 可同位采集明場顯微像、可見光波段暗場熒光像、紅外波段暗場熒光像，分析樣品中位錯、層錯等晶格缺陷的分布。

全自動操作。

• 自動化的控制軟件和數據處理軟件，全軟件操作。

相關國家標準：

• 《中華人民共和國國家標準GB_T 43493.3-2023 半導體器件功率器件用碳化硅同質外延片缺陷的無損檢測識別判據第3部分：缺陷的光致發光檢測方法》（2023年12月28日發布，2024年7月1日實施）

性能參數：

熒光激發和收集模塊	激發波長	275 nm
	自動對焦	在全掃描范圍自動聚焦和實時表面跟蹤。對焦精度<0.2微米。

	顯微鏡	2x, 5x ,10x, 50x, 100x物鏡可選。空間分辨率：10x 物鏡< 2 μm，100x物鏡< 0.5 μm。

	熒光波長范圍	可見：400-700nm 紅外：685-1100nm

	熒光像視場	2x物鏡：8×8 mm；10x物鏡：1.6×1.6 mm；100x物鏡：0.16×0.16 mm。
樣品移動和掃描平臺	平移臺	掃描范圍大于300×300 mm。
	樣品臺	8寸吸氣臺（12寸可定制），可兼容2、4、6、8寸晶圓片。
軟件	控制軟件	可選擇區域或指定點位進行明場和暗場熒光像的自動采集和存儲。
	數據分析	識別晶體中的沾污、劃痕、微管、腐蝕坑類型、基面位錯、堆積層錯等

應用案例：

6英寸SiC外延片缺陷檢測

堆疊層錯（SF）

基面位錯（BPD）