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光致發光光譜定義為當一束光子能量足夠高（大于半導體材料的禁帶寬度Eg）的激光入射到半導體材料上，會將價帶的電子激發到導帶，從而在該材料中產生大量的電子空穴對，形成非平衡載流子。這些非平衡載流子隨即通過各種散射過程快速弛豫到相應能帶的底部，最后發生復合產生熒光。采集該復合發光的光譜即稱為光致發光光譜。
1、稀土上轉換發光的概念；2、稀土上轉換發光的原理；3、稀土上轉換發光的應用；4、稀土上轉換發光相關光電產品；5、幾個容易混淆的“上轉換”概念；
氧 (氮)化物熒光粉材料以其高發光效率、可被可見光有效激發、穩定性高和環境友好等諸多優點，在固體發光領域受到廣泛重視。其中，稀土摻雜的熒光粉由于表現出較高的發光強度、較高的量子效率和優異的熱穩定性，具有較好的應用前景。銪(Eu)元素在化合物中存在Eu2+和Eu3+兩種價態。Eu2+發射峰位易受晶體場影響的，即基體或者參雜材料的改變(濃度、元素等)，發射峰的強度會發生變化，發射中心會發生紅移或者藍移；Eu3+的發射峰是由其自身決定的，比較尖銳、峰位不受晶體場的影響。
閃爍晶體到底是什么？可能很多人都沒聽過這個詞，但其實，在我們的日常生活中并不陌生。閃爍體是一種當被電離輻射激發之后會表現出發光特性的材料，是將高能轉換為可見光的一種典型光電轉換材料，可用于輻射探測和安全防護，通常在應用中將其加工成晶體，稱為閃爍晶體。
半導體器件和電路制造技術飛速發展，器件特征尺寸不斷下降，而集成度不斷上升。這兩方面的變化都給失效缺陷定位和失效機理的分析帶來巨大的挑戰。對于半導體失效分析(FA)而言，微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)是一種相當有用且效率極高的分析工具。微光顯微鏡其高靈敏度的偵測能力，可偵測到半導體組件中電子－電洞對再結合時所發射出來的光線，能偵測到的波長約在350nm ~ 1100nm 左右。 它可以廣泛的應用于偵測IC 中各種組件缺陷所產生的漏電流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage等。EMMI的工作原理圖如下:
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