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應(yīng)用

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產(chǎn)品類型

行業(yè)應(yīng)用

客戶論文

實現(xiàn)超高探測率和光-暗電流比的增強型β-Ga2O3 MOSFET日盲光電晶體管

由于可以廣泛用于光學(xué)成像，空間光通信，導(dǎo)彈制導(dǎo)和定位導(dǎo)航等領(lǐng)域，作為現(xiàn)代光電設(shè)備中關(guān)鍵組件的光電探測器（PD）近年來已引起越來越多的研究興趣。目前，商用光電探測器主要基于Si光電二極管，是因為它的低成本和與高度成熟的硅工藝帶來的高度兼容性。在280 nm以下的波長下工作的深紫外光電探測器（深紫外光PD）尚未十分成熟，它們是近年來在火焰探測，導(dǎo)彈預(yù)警系統(tǒng)，機(jī)密空間通信，深紫外線成像機(jī)方面具有潛在應(yīng)用的研究熱點。能隙為4.7-4.9 eV的Ga2O3材料，由于其高輻射耐受性，高熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性以及在深紫外區(qū)域的強吸收性，是未來有發(fā)展前景的深紫外光PD的候選項。
客戶論文

高響應(yīng)抑制比的金屬-半導(dǎo)體-金屬ε-Ga2O3日盲光電探測器以及增益機(jī)制研究

日盲光電探測器對波長在220-280 nm范圍內(nèi)的光敏感，在軍事和商業(yè)領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用，例如光學(xué)追蹤、光通信和成像。得益于優(yōu)越的材料和電學(xué)特性，包括良好的熱學(xué)和化學(xué)穩(wěn)定性、優(yōu)異的抗輻照性能以及直接對應(yīng)日盲區(qū)域的光探測波長，寬禁帶半導(dǎo)體材料具備更顯著的優(yōu)勢。在過去的幾年里，由于Ga2O3相關(guān)材料的優(yōu)異的抗輻照特性、良好的熱穩(wěn)定性以及4.7-5.3 eV直接對應(yīng)于日盲波段的超寬禁帶寬度，已經(jīng)引起了廣泛的關(guān)注。目前，幾乎所有關(guān)于Ga2O3 PDs的研究都是基于a-或β-Ga2O3材料，然而，探測器的光電性能不盡如人意，并且增益機(jī)制尚未分析確定。因此，ε-Ga2O3的材料和光電特性有待進(jìn)一步研究。
客戶論文

基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積的ε-Ga2O3薄膜的非對稱肖特基結(jié)構(gòu)超高性能日盲光電探測器

Ga2O3有著4.7-5.2eV的寬禁帶，本質(zhì)上適合日盲光電探測器。Ga2O3有五種同構(gòu)異形體，單斜β-Ga2O3薄膜因其高溫度穩(wěn)定性已經(jīng)有了大量的研究。其他相，特別是α-、γ-、δ-和ε-Ga2O3很少被研究。最近由于ε-Ga2O3其有高度對稱的六面體結(jié)構(gòu)，有可能將氮化物和ε-Ga2O3結(jié)合起來，形成致力于光電應(yīng)用的III-氧化物/III-氮化物異質(zhì)結(jié)器件結(jié)構(gòu)，因此而廣受科研工作者關(guān)注。
客戶論文

去羥基增強玻璃的近中紅外發(fā)光

近中紅外光廣泛應(yīng)用于光纖通信、醫(yī)療、遙感探測、說環(huán)境監(jiān)控等應(yīng)用領(lǐng)域，高效、穩(wěn)定、緊湊的近中紅外光光源是這些應(yīng)用得以實施的基礎(chǔ)。
CIGS、CZTS、PSCs 半導(dǎo)體薄膜電池的顯微光致發(fā)光及時間分辨光致發(fā)光測量

CIGS是Copper indium gallium selenide的縮寫，中文簡稱銅銦鎵硒，CIGS是由IV族化合物衍生而來。CZTS是Copper zinc tin sulfide的縮寫，組分為：Cu2ZnSnS4，中文簡稱銅鋅錫硫電池，銅鋅錫硫化合物為一種直接帶隙半導(dǎo)體，可用于薄膜太陽能電池的吸收層。PSCs是Perovskite Solar Cells的簡稱，中文簡稱鈣鈦礦型太陽能電池，鈣鈦礦是對活性層材料的結(jié)構(gòu)統(tǒng)稱，最經(jīng)典的材料是鹵化鉛甲胺(CH3NH3PbX3 perovskites，其中X代表鹵族元素，X=I,Br,Cl)。

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